功率半導(dǎo)體作為關(guān)乎國計民生、國家安全的戰(zhàn)略性物資，是經(jīng)濟領(lǐng)域發(fā)展的重要組成部分，長期以來被西方少數(shù)國家壟斷。近年來，國家陸續(xù)發(fā)布《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》，將以集成電路先進工藝和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為代表的功率半導(dǎo)體自主可控作為發(fā)展重點之一。
區(qū)熔多晶硅作為IGBT、MOSFET、GTO、IGCT及晶閘管等功率半導(dǎo)體器件不可或缺的基礎(chǔ)性原材料，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、新能源發(fā)電、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化、5G通訊、軌道交通、特高壓輸配等國民經(jīng)濟重要領(lǐng)域，市場需求逐年增長。陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司（以下簡稱天瑞硅材料）依托全球領(lǐng)先的硅烷西門子工藝，生產(chǎn)區(qū)熔多晶硅產(chǎn)品，各項技術(shù)指標達到國際一流水準，是國內(nèi)唯一一家具有區(qū)熔多晶硅批量生產(chǎn)與穩(wěn)定供應(yīng)能力的企業(yè)。2019年以來產(chǎn)品陸續(xù)通過半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威檢測機構(gòu)與用戶全面嚴格的階段測試，已基本具備高端功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用條件。2021年10月，天瑞硅材料區(qū)熔多晶硅成功應(yīng)用于6英寸區(qū)熔單晶硅片制造，并在IGBT所需8英寸區(qū)熔單晶硅片制造領(lǐng)域一次性拉晶成功，目前，已進入商業(yè)化運行模式。
天瑞硅材料區(qū)熔多晶硅的市場應(yīng)用，實現(xiàn)了國產(chǎn)硅材料在高端半導(dǎo)體領(lǐng)域商業(yè)化的重大突破，為我國增強關(guān)鍵核心領(lǐng)域自主可控能力奠定了基礎(chǔ)。